أعلنت شركة SAMSUNG اليوم الجمعة عن تطويرها لأول ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية DDR5 DRAM في الصناعة بسعة 32 جيجابت باستخدام تقنية المعالجة بدقة 12 نانومتر. وتأتي هذه الخطوة بعد بدء الشركة الإنتاج الضخم لذاكرة DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابت وبنفس التقنية في شهر مايو 2023.
تعتقد SAMSUNG أن هذا التطور يعزز مكانتها في مجال تقنية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية من الجيل التالي، مما يمهد الطريق لتلبية احتياجات الذاكرة العالية السعة في عصر الذكاء الاصطناعي والبيانات الكبيرة.
كما أن نائب الرئيس التنفيذي لمنتجات وتقنية DRAM في SAMSUNG أشار إلى أن هذه الذاكرة الجديدة ستمكن من وحدات ذاكرة الوصول العشوائي بسعة تصل إلى 1 تيرابايت، وهذا سيساعد في تلبية الاحتياجات المتزايدة للذاكرة العالية السعة.
بالإضافة إلى ذلك، SAMSUNG تعمل على تطوير حلول DRAM متقدمة باستمرار من خلال تقنيات المعالجة والتصميم المتميزة، مما سيساهم في كسر حدود تقنية الذاكرة.
منذ تطوير أول ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية بسعة 64 كيلوبت في عام 1983، نجحت SAMSUNG في زيادة سعتها بنسبة تصل إلى 500,000 خلال الأربعين عامًا الماضية.
المنتج الجديد من SAMSUNG يتميز بأعلى سعة في الصناعة لشريحة واحدة من DDR5 DRAM ويقدم ضعف سعة الشريحة نفسها من DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابت.
كما أن SAMSUNG تعتزم مواصلة توسيع مجموعة منتجاتها لتلبية احتياجات صناعة الحوسبة وتقنية المعلومات الحالية والمستقبلية باستخدام DDR5 DRAM بسعة 32 جيجابت من فئة 12 نانومتر كأساس.
بالإضافة إلى أن الشركة تأمل أيضًا أن يلعب المنتج الجديد دورًا مهمًا في تعاونها مع شركات رائدة أخرى في الصناعة.
ومن المتوقع بدء الإنتاج الضخم لذاكرة DDR5 DRAM الجديدة بسعة 32 جيجابت من فئة 12 نانومتر بنهاية هذا العام.
المصدر : مدونة المحترف
التبليغ عن مشكل أو رابط معطل
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق